Avviata la produzione per la memoria LPDDR5 da 16 gigabit per gli smartphone di prossima generazione

Il colosso sudcoreano aveva comunicato a febbraio l'avvio della produzione di massa per le DRAM basate sulla seconda generazione della tecnologia a 10 nanometri (1y). Nel corso dei mesi il processo produttivo è stato ulteriormente affinato raggiungendo dunque la terza generazione (1z). Le future memorie di Samsung LPDDR5 da 16 Gb sono le prime al mondo ad utilizzare litografia EUV (extreme ultraviolet).

La futura memoria, oltre a garantire una capacità superiore, si presenta con prestazioni maggiori del 16% rispetto alla precedente edizione di LPDDR5 da 12 gigabit; si passerebbe infatti dagli attuali 5500 Mb/s sino ai previsti 6400 Mb/s. Inserita in un package da 16 GB con 8 chip, la nuova memoria sarebbe in grado di trasferire dieci video FullHD da 5 GB (oltre 50 GB totale) in un secondo.

Le novità non sono attese solo dal punto di vista della velocità ma anche sotto al profilo delle dimensioni; il package della nuova LPDDR5 è il 30% più sottile rispetto al passato permettendo quindi di realizzare smartphone ancora più contenuti o maggiormente densi di funzionalità. Al fine di rispondere all'enorme richiesta da parte dei partner, Samsung ha comunicato di aver espanso la linea 2 di produzione nel complesso di Pyeongtaek, che si estende per oltre 16 campi da calcio.