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Samsung annuncia l'avvio della produzione di moduli EUV DRAM da 10 nm

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L'azienda ha annunciato di aver inviato oggi oltre un milione di moduli DRAM a 10 nanometri prodotti sfruttando la tecnologia di processo D1x basata sulla litografia EUV, completando con successo la fase di raccolta delle valutazioni da parte dei propri clienti.

La nuova tecnica produttiva si affida alla luce ultravioletta con una lunghezza d'onda molto corta per esporre i wafer di silicio affinché sia possibile incidere circuiti sempre più miniaturizzati mediante l'uso di una singola maschera, in contro tendenza alla richiesta di utilizzo di quattro maschere per creare lo stesso layer nella generazione attuale. La litografia EUV dovrebbe garantire un netto miglioramento delle prestazioni e i futuri moduli verranno presto adottati da PC, dispositivi mobile di fascia alta e naturalmente server e data center. 

Samsung assicura che la produzione in volumi di memorie DDR5 e LPDDR5 "D1a" inizierà il prossimo anno, cosa che dovrebbe "raddoppiare la resa produttiva dei wafer D1x da 12 pollici", sottolinea il colosso asiatico. Per soddisfare la crescita di domanda prevista per il 2021, Samsung ha intenzione di ampliare la produzione inaugurando la fabbrica di Pyeongtaek entro la fine del 2020. Lo scopo principale di Samsung è quello di accelerare il passaggio generazionale dalle attuali memorie DDR4/LPDDR4 alle future DDR5/LPDDR5.

Le prime piattaforme desktop destinate ad ospitare moduli di memoria DDR5 sono attese per la fine del 2020 e l'inizio del 2021. Allo stato attuale non è chiaro se AMD ed Intel riusciranno a rispettare quella finestra di tempo considerate anche le numerose ripercussioni causate dall'epidemia attualmente in corso. Non ci rimane che attendere per conoscere maggiori dettagli.

L'esterno di una delle fabbriche Samsung (Image Source: HDBlog)
L'esterno di una delle fabbriche Samsung (Image Source: HDBlog)

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Samsung

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Luca Rocchi, 2020-03-25 (Update: 2020-03-25)