SK Hynix presenta chip di memoria NAND TLC a 321 strati da 1 Tb

SK Hynix presenterà i primi chip di memoria NAND Flash TLC 4D a 321 strati da 1 Tb al Flash Memory Summit (FMS) 2023 che si terrà a Santa Clara, USA, dall'8 al 10 agosto. Questo tipo avanzato di memoria è ancora in fase di sviluppo, ma l'azienda sudcoreana stima che la produzione di massa dovrebbe iniziare nella prima metà del 2025.

I prossimi chip 4D NAND di quinta generazione a 321 strati da 1 Tb offrono una serie di vantaggi, tra cui un aumento del 59% della capacità per singolo chip rispetto agli attuali chip da 238 strati da 512 Gb chip da 512 Gb a 238 stratisK Hynix continua a perfezionare il processo di impilamento delle celle. Per sfruttare appieno i vantaggi dei chip avanzati da 1 Tb a 321 strati, SK Hynix sta già sviluppando la sua prossima gen PCIe 6.0 e UFS 5.0 di prossima generazione, che saranno destinati principalmente all'IA generativa aI generativa generativa.

Con i chip da 512 Gb a 238 strati ora prodotti a pieno regime, SK Hynix sta anche introducendo nuovi chip PCIe 5.0 e UFS 4.0ad alte prestazioni e ad alta capacità, ottimizzati per i carichi di lavoro dell'intelligenza artificiale.

Rilasciando nuove generazioni di chip di memoria NAND con cadenza biennale, SK Hynix intende consolidare la propria leadership tecnologica nello spazio NAND e promette di perseguire l'innovazione per soddisfare i requisiti sempre più elevati dell'era dell'intelligenza artificiale.

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