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SK Hynix assembla il primo strumento di litografia High-NA EUV per la produzione di massa presso lo stabilimento M16

Nella foto: La memoria flash QLC NAND di SK Hynix (Fonte: SK Hynix)
Nella foto: La memoria flash QLC NAND di SK Hynix (Fonte: SK Hynix)
SK Hynix ha installato il sistema High-NA EUV di ASML nel suo stabilimento M16 in Corea del Sud, il primo strumento di questo tipo assemblato per la produzione di massa. L'innovazione consente di ottenere caratteristiche più piccole e DRAM a densità più elevata, e rafforza il vantaggio dell'azienda rispetto a Samsung e Micron nella memoria di nuova generazione.

SK Hynix ha annunciato ha annunciato di aver assemblato il primo sistema di litografia High-NA EUV del settore per la produzione di massa presso il suo stabilimento M16 di Icheon, Corea del Sud. I dirigenti della R&S e della produzione di SK Hynix, così come il responsabile dei clienti SK Hynix di ASML, hanno celebrato la pietra miliare durante un evento in loco. L'obiettivo di questo sistema è accelerare lo sviluppo e la fornitura di DRAM di prossima generazione, rafforzando al contempo la leadership nazionale nella memoria AI e migliorando la stabilità della catena di fornitura attraverso una stretta collaborazione con i partner. Questa pietra miliare segna il salto di SK Hynix rispetto ad altri rivali che si affidano ancora al Low-NA EUV.

Il sistema ASML TWINSCAN EXE:5200B offre una NA (apertura numerica) superiore di circa il 40 percento rispetto alla sua controparte Low-NA, che consente di ottenere caratteristiche 1,7 volte più piccole con una densità di transistor circa 2,9 volte superiore in una singola esposizione. La macchina può raggiungere una risoluzione sostanziale di 8 nm, che rappresenta un miglioramento significativo rispetto all'attuale risoluzione di 13 nm ottenuta dai sistemi Low-NA. ASML definisce questa pietra miliare come "l'apertura di un nuovo capitolo".

Inizialmente, SK Hynix prevede di prototipare rapidamente nuove strutture DRAM, tra cui le trincee dei condensatori, le bitline e le wordline, per accelerare lo sviluppo del nodo. L'azienda prevede anche di semplificare i flussi di processo EUV esistenti per migliorare la competitività dei costi man mano che lo sviluppo matura.

Si prevede che le future DRAM passeranno all'High-NA EUV (intorno agli anni 2030); pertanto, questo strumento elimina questo percorso in anticipo. SK Hynix ha ampliato la sua impronta EUV nella DRAM dal 2021, e questa pietra miliare segna il passo successivo per la produzione di DRAM di prossima generazione.

Essere una delle prime aziende ad assemblare sistemi High-NA EUV in un sito di produzione di massa pone SK Hynix davanti a Micron e Samsung, dandole un vantaggio competitivo sul mercato. ASML aveva già costruito sistemi High-NA di pre-produzione (la sua serie NXE:5000) presso lo stabilimento D1X di Intel, ma l'installazione di SK Hynix segna il primo assemblaggio del nuovo sistema EXE:5200B presso uno stabilimento cliente orientato alla produzione di massa.

Fonte(i)

SK Hynix (in inglese)

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Nathan Ali, 2025-09- 4 (Update: 2025-09- 4)