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SK hynix avrebbe unito DRAM e NAND in un pacchetto unificato di archiviazione ad alta larghezza di banda per incrementare le prestazioni dell'intelligenza artificiale sul dispositivo

Una coppia di chip SK hynix (fonte: SK hynix)
Una coppia di chip SK hynix (fonte: SK hynix)
SK hynix starebbe sviluppando un nuovo pacchetto HBS (High-Bandwidth Storage) che fonde i chip DRAM e NAND in un unico modulo ultra-efficiente. L'innovazione promette un'elaborazione dei dati più rapida, un migliore controllo del calore e prestazioni AI migliorate per gli smartphone e i tablet di prossima generazione.

SK hynix avrebbe raggiunto un importante traguardo con un'innovazione che potrebbe cambiare il modo in cui i dispositivi mobili gestiscono l'AI. La nuova architettura ibrida dell'azienda, High-Bandwidth Storage (HBS), fonde DRAM e NAND, consentendo una maggiore velocità dei dati, una minore latenza e una migliore efficienza energetica.

Secondo ETNews, SK hynix prevede che la sua nuova tecnologia aumenterà le prestazioni AI degli smartphone.

Memoria di nuova generazione per i dispositivi mobili dotati di AI

La parte fondamentale dell'ultima innovazione di SK hynix è la tecnologia Vertical Wire Fan-Out (VFO). VFO è un metodo che consente di impilare verticalmente fino a 16 strati di DRAM e NAND, collegati in linea retta. Con questo processo, SK hynix può ridurre la perdita di segnale e la distanza di trasmissione, perché non è necessario il cablaggio curvo comune nei pacchetti tradizionali.

Il risultato è un pacchetto HBS con un tempo di elaborazione dei dati più breve e una maggiore efficienza. Questo porta miglioramenti della larghezza di banda ai dispositivi mobili, in modo simile a come la memoria ad alta larghezza di banda (HBM) ha incrementato le prestazioni delle GPU e dei server AI.

Più piccolo, più veloce e più fresco

Secondo SK hynix, il nuovo processo VFO riduce i requisiti di cablaggio di 4,6 volte. Riduce il consumo energetico del 5% e migliora la dissipazione del calore dell'1,4%. L'azienda sudcoreana ha anche ridotto l'altezza del packaging del 27 percento, consentendo ai dispositivi mobili di essere ancora più sottili e di funzionare a temperature più basse.

SK hynix risparmia anche sui costi di produzione, perché l'HBS non richiede la produzione di TSV (Through-Silicon Via), che collega verticalmente i chip impilati praticando e riempiendo fori microscopici attraverso i wafer di silicio, a differenza dell'HBM. Inoltre, questo aiuta ad aumentare la resa, che è fondamentale per scalare la produzione.

Portare le prestazioni AI nei chip mobili

Abbinato al processore applicativo (AP), il modulo HBS di SK hynix consentirà a smartphone e tablet di gestire meglio i carichi di lavoro AI. L'azienda ha già utilizzato il packaging DRAM basato su VFO in Apple's Vision Pro.

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David Odejide, 2025-11-12 (Update: 2025-11-13)