Samsung avvia la produzione di memorie eUFS 3.1 da 512GB per smartphone

La nuova produzione di chip ad alte prestazioni, sottolinea la particolare attenzione allo sviluppo e all'evoluzione scelta da Samsung nei confronti degli smartphone di nuova concezione. Con una velocità di scrittura (sequenziale) tre volte superiore rispetto alla precedente memoria mobile eUFS 3.0 da 512 GB, il nuovo standard eUFS 3.1 di Samsung sembrerebbe infatti capace di superare la soglia di 1 GB/s. L'azienda ha inoltre migliorato le velocità casuali di lettura e scrittura, raggiungendo un guadagno di circa il 60% rispetto all'attuale generazione di memorie.

Le ottimizzazioni consentiranno agli utenti di poter godere di una maggiore velocità nelle azioni quotidiana e di poter salvare file di grandi dimensioni, come i video in 8K, in maniera più immediata. Secondo quanto affermato da Samsung, gli smartphone equipaggiati con memorie eUFS 3.1 potranno trasferire 100 GB di dati in 1.5 minuti, mentre i dispositivi attualmente basati sulla memoria UFS 3.0 richiedono circa quattro minuti. Le memorie saranno disponibili al lancio nei tagli da 128, 256 e 512 GB.

La produzione è stata avviata allo stabilimento Xi'an in Cina con memorie V-NAND di quinta generazione, l'azienda tuttavia prevede di estendere la produttività anche nella fabbrica di Pyeongtaek (in Sud Corea) con memorie V-NAND di sesta generazione.