Larghezza di banda vs. IOPS vs. efficienza: Samsung sviluppa tre nuovi tipi di storage NAND per applicazioni di IA
Attingendo a fonti del settore, la testata tecnologica sudcoreana Zdnet riferisce che Samsung Electronics sta sviluppando tre nuovi sistemi di archiviazione NAND specifici per applicazione. Finora, Samsung ha annunciato ufficialmente solo la prima variante, zNAND-O, ma secondo Zdnet, l'azienda ha altri due tipi in fase di sviluppo. Ecco tutte e tre le varianti:
zNAND-O – Efficienza per l'IA sul dispositivo
Questo tipo di memoria è progettato specificamente per le applicazioni di IA locali. Per accorciare i percorsi dei dati e migliorare la velocità e l'efficienza energetica, i chip NAND sono impilati in quattro o otto strati e collegati tramite connessioni TSV (through-silicon via). In questo caso, le prestazioni sono un po' meno importanti dell'efficienza, poiché le applicazioni di IA sono destinate a funzionare localmente consumando meno energia possibile.
zNAND-T – Massima larghezza di banda dei dati
Questa variante è rivolta soprattutto ai data center per l'IA ad alte prestazioni, quindi la memoria flash è progettata per gestire quantità particolarmente elevate di dati per unità di tempo. Un termine chiave in questo contesto è High Bandwidth Flash (HBF). In definitiva, l'obiettivo è trasferire grandi volumi di dati il più rapidamente possibile.
zNAND-I – Velocità delle operazioni di input/output eccezionalmente elevate
Questa variante punta su valori IOPS particolarmente elevati, ovvero operazioni di input/output al secondo. Questo è particolarmente importante per l'inferenza AI, in cui è necessario elaborare rapidamente un gran numero di accessi a piccoli volumi di dati.
Finora è stato presentato pubblicamente solo zNAND-O. Gli altri due sistemi non sono stati confermati ufficialmente e sono ancora nelle prime fasi di sviluppo.
Con questa mossa, Samsung segue la strategia del suo concorrente SK Hynix, che sta anch'esso sviluppando tre tipi specializzati di NAND. A lungo termine, questo approccio potrebbe intensificare la concorrenza nel mercato dello storage per l'IA ed espandere il ruolo della memoria flash NAND oltre le tradizionali applicazioni SSD.
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