SanDisk produce i primi chip di memoria 3D Matrix, con l’obiettivo di dimezzare il costo per bit rispetto alla DRAM

SanDisk ha fornito un aggiornamento breve ma significativo sulla sua memoria sperimentale 3D Matrix Memory, affermando di aver prodotto i primi chip della nuova tecnologia di memoria su wafer di silicio standard da 300 mm e di averli assemblati per ulteriori test. Secondo l’azienda, i prototipi sono già in grado di memorizzare diversi gigabit di dati e le loro prestazioni si avvicinano alle specifiche previste per il prodotto finale.

La 3D Matrix Memory è in fase di sviluppo dal 2017 come potenziale alternativa alla DRAM convenzionale, ma con una struttura tridimensionale fondamentalmente diversa. SanDisk afferma che la tecnologia potrebbe, a lungo termine, garantire prestazioni simili offrendo al contempo una capacità fino a quattro volte superiore a quella della DRAM. L’azienda punta inoltre a dimezzare il costo per bit rispetto alla DRAM tradizionale.

Gli ultimi prototipi si basano su un prototipo di prova sviluppato lo scorso anno in collaborazione con Imec, partner di ricerca di SanDisk. Da allora, SanDisk ha iniziato a sovrapporre più strati di memoria e a produrre prototipi su wafer da 300 mm. I chip assemblati vengono ora utilizzati per ulteriori test. Secondo l’azienda, gli esperimenti hanno già dimostrato il funzionamento di array di memoria con una capacità di diversi gigabit. SanDisk afferma inoltre che il livello di prestazioni è già molto vicino alle specifiche che ha fissato per un potenziale prodotto finale.

Tuttavia, SanDisk non è ancora pronta a parlare di un lancio commerciale. Il CTO di SanDisk, Alper Ilkbahar, ha sottolineato che la 3D Matrix Memory rimane un progetto a lungo termine e che potrebbe trascorrere ancora molto tempo prima che la tecnologia raggiunga il mercato.

Il progetto sta procedendo, ma si tratta di un’iniziativa con un orizzonte temporale più lungo. Continueremo a tenervi aggiornati sui nostri progressi – Alper Ilkbahar.

L’ultima roadmap di SanDisk fornisce pochi dettagli su ciò che seguirà. Una roadmap precedente aveva illustrato piani per campioni da 32 a 64 Gbit, sebbene non fosse stata fornita alcuna tempistica per la loro disponibilità.

L’ultima roadmap fornisce pochi dettagli su ciò che seguirà. Una roadmap precedente aveva indicato piani per campioni da 32 a 64 Gbit, sebbene non fosse stata fornita alcuna tempistica per la loro disponibilità.

Per ora, la 3D Matrix Memory rimane più un progetto di ricerca che una sostituzione realistica della DRAM nel prossimo futuro. Tuttavia, la capacità di produrre prototipi multistrato su wafer standard da 300 mm, di dimostrare array di memoria multigigabit e di raggiungere prestazioni che si avvicinano alle specifiche target dell’azienda segna un significativo passo avanti nel lungo impegno di SanDisk volto a sviluppare un nuovo tipo di memoria ad alta densità.

SanDisk sta inoltre lavorando a un’altra tecnologia di memoria avanzata, l’High Bandwidth Flash (HBF). A differenza della 3D Matrix Memory, l’HBF non introduce un’architettura di memoria completamente nuova. Essa consiste invece essenzialmente nell’impilare chip NAND convenzionali per aumentare la larghezza di banda. Tale progetto è molto più vicino alla commercializzazione. SanDisk afferma che il primo progetto HBF ha completato la fase di tape-out e che i campioni dovrebbero essere disponibili per la validazione il prossimo anno.