Non interpretare il piano di SK hynix per la realizzazione di un impianto da 54,3 trilioni di won come un sollievo per i prezzi della RAM

Il 7 agosto il consiglio di amministrazione di SK hynix ha approvato uno stanziamento di circa 54,3 trilioni di won (~38,6 miliardi di dollari) per due nuovi stabilimenti: 35,2 trilioni di won (~25 miliardi di dollari) per lo stabilimento di Yongin «Y2» e 19,1 trilioni di won (~13,6 miliardi di dollari) per quello di Cheongju «M17». Y2 è un sito dedicato alla DRAM, M17 alla NAND, ed entrambe le cifre riguardano esclusivamente la costruzione; le attrezzature per Y2 potrebbero ammontare a 120 trilioni di won (~85,2 miliardi di dollari), il che potrebbe far superare il totale dei 150 trilioni di won (~106,5 miliardi di dollari).

Per chiunque abbia recentemente consultato i prezzi di un kit DDR5 da 32 GB — circa 600 dollari questo mese, contro i 100 dollari dello stesso kit di poco tempo fa — l’istinto naturale sarebbe quello di interpretare questi dati come il segnale che la fine è vicina. Tuttavia, le date raccontano una storia completamente diversa. M17 aprirà la sua prima camera bianca nel dicembre 2028 e Y2 nel giugno 2029, mentre per Y2 i lavori di costruzione non inizieranno nemmeno prima del luglio 2027. L’apertura di una camera bianca segna l’inizio dell’installazione e della qualificazione delle attrezzature; non rappresenta l’inizio delle spedizioni. La tappa fondamentale di gran lunga più vicina è rappresentata da Y1, il cui completamento è previsto intorno a febbraio 2027, con l’installazione delle apparecchiature che seguirà nel secondo trimestre.

Una frase specifica contenuta nel comunicato di SK hynix riveste un’importanza ancora maggiore rispetto alla cifra riportata nel titolo. Il colosso dei semiconduttori afferma che costruirà gli stabilimenti secondo il programma generale, ma amplierà le camere bianche e installerà le attrezzature in modo sequenziale, adeguandosi all’andamento della domanda, al fine di massimizzare l’efficienza del capitale.

In altre parole, l’azienda sta realizzando gli edifici in anticipo e sta rinviando la spesa, di gran lunga maggiore, relativa alle attrezzature fino a quando la domanda non sarà confermata. L’Y1 è suddiviso in sei camere bianche e si prevede che raggiunga i 360.000 wafer DRAM al mese entro la prima metà del 2030.

Neppure il mix di prodotti è a vantaggio dei consumatori. L’Y2 produrrà memorie ad alta larghezza di banda e altre DRAM di nuova generazione, ed è stata proprio l’assegnazione di risorse all’HBM a spingere, in primo luogo, la DDR5 standard fuori dagli stabilimenti. Attualmente SK hynix destina circa il 30% della propria capacità produttiva di wafer DRAM alla produzione di HBM, e gli analisti prevedono che tale quota si avvicini al 40% entro il 2027.

La definizione fornita dalla stessa SK hynix rappresenta l’informazione più chiara in merito. L’azienda definisce questa situazione una «trasformazione strutturale» e non un superciclo temporaneo. Ha citato le proiezioni di Omdia, secondo cui la crescita annuale delle DRAM e delle NAND sarà del 19% fino al 2030. Ciò significa che il fornitore sta considerando i prezzi attuali come punto di riferimento e sta pianificando la propria produzione di conseguenza.