Le specifiche preliminari di DDR7 pongono la velocità massima della RAM di prossima generazione a 5 volte quella delle DDR5 standard

Samsung ha appena annunciato i suoi moduli DDR5 di fascia alta, finalizzati alle richieste di applicazioni di livello server next-gen finora. L'OEM sostiene di sfruttare la nuova RAM Standard JEDEC (che comporta il raddoppio delle prestazioni delle (standard) DDR4 per arrivare a una velocità massima di trasferimento dati di 6.400 megatransfers al secondo (MT/s)) per produrre un prodotto finale in grado di raggiungere velocità di 7.200 megabit al secondo (Mb/s).

Tuttavia, il gigante sudcoreano ha ora in programma una tabella di marcia di sviluppo che inizia con una sostituzione diretta per questo nuovo standard di fascia alta, procedendo attraverso passi come il suo basso consumo per finire a una nuova 'forma finale' conosciuta come GDDR7

Di conseguenza, la prima tappa di questo viaggio sarà (quasi inevitabilmente) conosciuta come DDR6. È ora previsto che offra miglioramenti 2x su molte specifiche prevalenti DDR5, la sua velocità di clock superiore standard JEDEC-mandata, il numero di banchi di memoria e il numero di canali a 16 bit inclusi. Di conseguenza, questa prossima DRAM Samsung potrebbe essere in grado di raggiungere i 12,800MT/s, avere 64 banchi ed essere quad-channel per default

Inoltre, dato che la DDR5 overcloccata è attualmente prevista al massimo a 8.400MT/sil suo successore è ora detto per raggiungere non meno di 17,000MT/s in condizioni simili. Si ritiene inoltre che Samsung stia correndo avanti con ciò che verrà dopo, con piani non solo per opzioni a basso consumo, ma anche per una generazione intermedia di GDDR6+

Il primo di questi - LPDDR6 - potrebbe non migliorare le attuali specifiche previste per la LPDDR5 (6.400 MT/s al massimo) o anche LPDDR5X (con un potenziale di ~8.500MT/s) tanto da offrire invece un'efficienza energetica avanzata.

Non si sa molto su GDDR6+ per certo a questo punto, anche se ci si aspetta che gli utenti si accontentino di guadagni simili a quelli dello standard, nella misura di 24.000 MT/s, basati su un processo di prossima generazione "1z-nanometer" (nm; presumibilmente una progressione dall'attuale 10nm EUV fino a quando l'ultimo grande aggiornamento, la GDDR7, arriverà.

Quella generazione è ora presumibilmente destinata a velocità fino a 32,000MT/s. Si prevede anche di incorporare qualcosa chiamato "funzione di protezione dagli errori in tempo reale", mentre la DDR5 di Samsung vanta la tecnologia "on-die error-correction"

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