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Samsung presenta lo standard GDDR6W con una capacità raddoppiata rispetto alle GDDR6X e una larghezza di banda quasi pari alle HBM2E

Die GDDR6W con 512 pin di I/O (Fonte immagine: Samsung)
Die GDDR6W con 512 pin di I/O (Fonte immagine: Samsung)
Grazie al nuovo processo produttivo FOWLP, i die GDDR6W hanno le stesse dimensioni di quelli GDDR6X, ma hanno una capacità di 32 Gb invece di 16 Gb e il numero di pin di I/O è raddoppiato. L'ampiezza di banda a livello di sistema può raggiungere 1,4 TB/s con 512 pin di I/O, mentre HBM2E offre 1,6 TB/s con 4096 pin, rendendo il nuovo standard di memoria di Samsung notevolmente più efficiente.

Samsung annuncia le specifiche delle GDDR6W a meno di 2 mesi dall'introduzione delle GDDR7 gDDR7. Sembra che i prodotti che integrano i chip GDDR7 VRAM potrebbero impiegare un po' di tempo in più per arrivare sul mercato, in quanto Samsung sostiene che la standardizzazione JEDEC per i prodotti GDDR6W VRAM è già stata completata nel secondo trimestre di quest'anno e il gigante sudcoreano sta pianificando di portare questo standard sui notebook e sul settore del calcolo ad alte prestazioni il prima possibile. Oltre a offrire un'ampiezza di banda maggiore, oltre a raddoppiare la capacità e i pin di I/O rispetto alle memorie 24 Gbps GDDR6X lo standard GDDR6W è stato sviluppato con il rivoluzionario design FOWLP (fan-out wafer-level packaging) che consente di mantenere invariato l'ingombro, in modo che gli integratori possano utilizzare lo stesso processo produttivo delle GDDR6X e ridurre i tempi e i costi di implementazione.

La capacità è ora raddoppiata da 16 Gb a 32 Gb per die, mentre il numero di pin di I/O è raddoppiato da 32 a 64. Questo non solo si traduce in una riduzione dell'area del 50% rispetto alle GDDR6X, ma il FOWLP riduce anche l'altezza del die da 1,1 mm a 0,7 mm, eliminando lo strato di base del PCB e sostituendolo con un wafer di silicio che integra i chip VRAM stessi.

Per quanto riguarda la larghezza di banda grezza, Samsung afferma che la VRAM GDDR6W può quasi eguagliare lo standard HBM in modo più efficiente. Mentre la HBM2E hanno una larghezza di banda a livello di sistema di 1,6 TB/s con 4096 pin di I/O e una velocità di trasferimento di 3,2 Gbps per pin, il nuovo standard GDDR6W offre una larghezza di banda di 1,4 TB/s con 512 pin di I/O e una velocità di 22 Gbps per pin. La riduzione del numero di corsie di I/O di 8 volte elimina essenzialmente la necessità di un livello di interposer e rende il prodotto più conveniente per gli integratori. Come riferimento, GDDR6X offre una larghezza di banda di 1,1 TB/s, quindi GDDR6W sarebbe circa il 30% più veloce. D'altro canto, si prevede che le GDDR7 offrano una larghezza di banda di 1,7 TB/s su un bus a 384 bit.

 

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Design FOWLP (Fonte: Samsung)
Design FOWLP (Fonte: Samsung)
Confezione più sottile (Fonte: Samsung)
Confezione più sottile (Fonte: Samsung)

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Bogdan Solca, 2022-11-30 (Update: 2022-11-30)