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Samsung e IBM svelano un nuovo tipo di transistor per i chip ultra-efficienti del futuro

Samsung e IBM presentano un potenziale futuro per la tecnologia. (Fonte: Samsung, IBM)
Samsung e IBM presentano un potenziale futuro per la tecnologia. (Fonte: Samsung, IBM)
Samsung e IBM sono venuti alla conferenza internazionale dei componenti elettronici IEDM 2021 in corso per svelare il transistor a effetto di campo a trasporto verticale (VTFET). Si tratta di una nuova proprietà dei potenziali chipset di prossima generazione che, come affermano i due OEM, potrebbe un giorno aiutare a costruire uno smartphone che può durare fino a sette giorni con una carica.

Il tipo di chip il tipo di chip più all'avanguardia è il risultato della sua tecnologia "nanosheet" che si traduce in un'architettura ultra-avanzata di 2 nanometri (nm). Ora, la società ha annunciato che sta lavorando su quello che potrebbe essere il prossimo passo con Samsung. Si tratta di un nuovo tipo di transistor che potrebbe consentire una maggiore densità di questi componenti per chip rispetto a qualsiasi cosa disponibile al momento, e, quindi, potenzialmente una migliore efficienza energetica o prestazioni

Si tratta del transistor a effetto di campo a trasporto verticale (VTFET), che, come implica il nome, sono stati progettati per impilare verticalmente su un chip piuttosto che orizzontalmente come in molti FET quelli inclusi anche nella fascia più alta degli smartphone inclusi. Questo adattamento permette anche alla corrente che agisce su detti transistor di fluire verticalmente pure, che potrebbe consentire loro di ottenere ancora un uso migliore di questa energia

Pertanto, i chip che incorporano questo nuovo tipo di transistor potrebbero offrire guadagni di efficienza energetica anche rispetto ai 3nm che si dice siano in fase di sviluppo da parte di altri OEM. IBM e Samsung ora sostengono anche che l'uso di VTFETs può anche sbloccare una migliore efficienza nella crittografia

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Deirdre O'Donnell, 2021-12-14 (Update: 2021-12-14)