Neo Semiconductor lancia 3D X-DRAM, i primi chip RAM 3D simili a NAND al mondo con capacità di 128 Gb

Neo Semiconductor, produttore di flash NAND 3D con sede negli Stati Uniti, sta lanciando i suoi chip di memoria 3D X-DRAM, che si dice siano i primi al mondo 3D NAND-con capacità notevolmente superiori rispetto alle attuali soluzioni DRAM 2D soluzioni DRAM 2D. La prima iterazione della tecnologia 3D X-DRAM può raggiungere una densità di 128 Gb con 230 strati per chip, un valore 8 volte superiore a quello delle attuali DRAM 2D. Neo Semiconductor ritiene che questa soluzione possa scalare più facilmente e sia meno costosa da implementare rispetto ad altre alternative di DRAM 3D, rendendola un solido candidato a sostituire la DRAM 2D nel prossimo futuro.

Il vantaggio della tecnologia 3D X-DRAM risiede nell'utilizzo dell'innovativo design Floating Body Cell (FBC) che memorizza i dati come cariche elettriche utilizzando un solo transistor e zero condensatori. A differenza di altre alternative di DRAM 3D che cercano di creare nuovi progetti più complicati, 3D X-DRAM sfrutta gli attuali processi 3D NAND maturi, richiedendo quindi solo una maschera per definire i fori delle linee di bit e formare la struttura delle celle all'interno dei fori. Questo approccio può semplificare notevolmente la produzione, l'implementazione e la transizione dalla DRAM 2D.

Neo Semiconductor ha già pubblicato tutte le domande di brevetto pertinenti presso l'USPAP il 6 aprile di quest'anno. L'azienda è determinata a spingere l'industria verso la 3D X-DRAM come soluzione necessaria per la crescente domanda di memorie ad alte prestazioni e ad alta capacità causata dai rapidi progressi dell'AI AI. Secondo le stime di Neo Semiconductor, la capacità di memoria potrebbe essere raddoppiata a 256 Gb entro il 2025, mentre la capacità di 1 Tb potrebbe essere offerta entro un decennio. Maggiori informazioni verranno rilasciate al Flash Memory Summit del 9 agosto 2023.

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