Samsung presenta una roadmap aggiornata per i suoi prossimi nodi di produzione da 3 nm e 2 nm

Al suo 5° evento annuale Foundry Forum, Samsung ha rilasciato informazioni aggiornate riguardanti la migrazione verso i nodi avanzati da 3 nm e 2 nm basati sulla struttura del transistor Gate-All-Around. Samsung deve ancora dimostrare che i suoi nodi a 5 nm sono una valida alternativa a N5 di TSMC di TSMC che sono utilizzati per la produzione di Appleultimi SoC mobili. Mentre la competizione tra le due principali fonderie diventa ancora più aggressiva, Samsung sta ora cercando di dimostrare la sua superiorità spingendo per l'adozione della tecnologia GAA una generazione prima di TSMC, che prevede ancora di utilizzare il venerabile FinFET nei prossimi nodi Nodi N3.

Samsung specifica che la sua tecnologia GAA è ora conosciuta come MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Come primo nodo ad utilizzare MBCFET, il processo di fabbricazione a 3 nm di Samsung si dice che diminuirà l'area logica del 35%, migliorando al contempo le prestazioni del 30% e abbassando anche i requisiti di potenza del 50% rispetto all'attuale nodo a 5 nm. Inoltre, la maturità del processo è stata migliorata, poiché il nodo a 3 nm si sta già avvicinando a livelli di rendimento logico simili a quelli del nodo intermedio nodo a 4 nm che è recentemente andato online per la produzione di massa.

Proprio come il nodo N3 di TSMC, il processo a 3 nm di Samsung dovrebbe iniziare a produrre progetti di chip per i clienti nella prima metà del 2022. Ci sarà un nodo a 3 nm di seconda generazione che dovrebbe andare online nel 2023, e Samsung stima che i nodi a 2 nm che integrano la tecnologia MBCFET raffinata dovrebbero essere pronti per la produzione di massa entro il 2025. TSMC, d'altra parte, prevede di integrare Transistor GAA per la prima volta nei suoi nodi N2 che dovrebbero andare online nel 2024.

Acquista il Samsung Galaxy A12 Nacho smartphone con Exynos 850 SoC su Amazon